英飞凌infineon推抗辐射GaN晶体管

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    英飞凌infineon推出新的抗辐射GaN晶体管，包括首批DLAJANS认证的GaN器件之一
    英飞凌infineon基于其经过验证的CoolGan™技术，英飞凌infineon自己的铸造厂制造了新系列抗辐射氮化镓（GaN）晶体管中的第一个。该公司的新产品专为在恶劣的太空环境中运行而设计，是第一款获得美国国防后勤局（DLA）为陆军-海军-航天联合规范MIL-PRF-19500/794指定的最高质量可靠性认证的内部制造的GaN晶体管。
    英飞凌推抗辐射GaN晶体管
    新型抗辐射GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）器件专为在轨航天器、载人航天探索和深空探测器中所需的关键任务应用而设计。将GaNHEMT的强大性能与英飞凌在高可靠性应用方面50多年的经验相结合，新型功率晶体管为更小、更轻、更可靠的空间设计提供了一流的效率、热管理和功率密度。这些器件补充了英飞凌经过验证的传统抗辐射硅MOSFET产品组合，为客户提供了用于太空应用的完整电源解决方案目录。
    英飞凌infineonHiRel高级副总裁兼总经理ChrisOpoczynski表示：英飞凌团队继续通过我们的新GaN晶体管系列突破功率设计的极限，这一里程碑为关键任务国防和太空应用带来了下一代高可靠性电源解决方案，这些解决方案利用宽带隙半导体的优越材料特性，为服务于不断增长的航空航天市场的客户提供服务。
    新型抗辐射GaN晶体管系列的前三个产品变体是100V、52A器件，具有行业领先的4mΩ（典型值）的RDS（导通）（漏极-源极导通电阻）和8.8nC（通常值）的总栅极电荷（Qg）。晶体管封装在坚固的密封陶瓷表面安装封装中，单事件效应（SEE）硬化至LET（GaN）=70MeV.cm2/mg（Au离子）。
    两台未经JANS认证的设备经过筛查，总电离剂量（TID）分别为100krad和500krad。第三台设备经过500kradTID的筛选，符合严格的JANS规范MIL-PRF-19500/794。
    英飞凌infineon是业内首家获得DLAJANS认证的公司，该认证适用于完全内部制造的GaN功率器件。DLAJANS认证要求严格的筛选和服务质量等级标识符，以确保太空飞行应用所需的性能、质量和可靠性，使英飞凌成为高可靠性应用GaN的领导者。英飞凌还在JANS全面生产发布之前运行多个批次，以确保长期制造可靠性。
    英飞凌的抗辐射GaN晶体管专为在轨航天器、载人航天探索和深空探测器所需的关键任务应用而设计。