英飞凌宣布氮化镓芯片技术突破，瞄准数十亿美元市场
igbt模块 9月12日消息，据路透社等媒体报道，德国半导体制造商英飞凌于当地时间周三宣布，在氮化镓(GaN)芯片领域取得技术突破，并计划在未来不断增长的市场中占据显著份额。该公司首席执行官Jochen Hanebeck向媒体透露，预计到2020年，氮化镓芯片技术的市场规模将达到数十亿美元。 英飞凌 氮化镓作为芯片制造中硅的替代品，因其高效率、高速度、轻量化以及在高温和高电压环境下的优异性能而受到业界青睐。这种新型芯片可广泛应用于笔记本电脑、智能手机和电动汽车等设备的充电器制造中，有助于实现充电器的小型化。 Hanebeck表示，英飞凌已成功在300毫米晶圆上生产出氮化镓芯片，据称这是全球首次实现这一技术突破。相比200毫米晶圆，300毫米晶圆上可容纳的氮化镓芯片数量提高了2.3倍，从而有效降低了生产成本。他进一步指出，这一技术进步将使氮化镓芯片的市场价格在未来几年内有望接近硅芯片的价格水平。
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